Cuatro rutas técnicas para el proceso de la base de la batería de TOPCON

Hay muchas rutas técnicas en el proceso de la base de la batería de TOPCON. El proceso de la preparación de la batería de TOPCON incluye la limpieza y la congregación, la difusión del boro del frente, grabando al agua fuerte el vidrio de borosilicate (BSG) y el nudo trasero, la preparación del contacto de la estabilización del óxido, la deposición delantera del nitruro del alúmina/de silicio, la deposición trasera del nitruro de silicio, la pantalla que imprime, la sinterización y la prueba. Entre ellos, la preparación del contacto de la estabilización del óxido es un proceso añadido por TOPCON en base de perc, y es también el proceso de la base de TOPCON. Actualmente, hay principalmente cuatro rutas técnicas:

(1) lo intrínseco de LPCVD + difusión del fósforo. Utilice el equipo de LPCVD para crecer la polisilicona de la capa y del depósito del óxido de silicio, y entonces el horno de difusión del uso para mezclar el fósforo en polisilicona para hacer el empalme del PN, la estructura pasiva del contacto de la forma, y entonces el grabado de pistas.

(2) implantación de ion de LPCVD. La estructura pasiva del contacto es preparada por el equipo de LPCVD, y entonces la distribución del fósforo en polisilicona es controlada exactamente por el implanter del ion para realizar el doping, seguido el recocido, y finalmente grabando al agua fuerte.

(3) doping in situ de PECVD. La capa del óxido el hacer un túnel fue preparada por el equipo de PECVD y la polisilicona fue dopada in situ.

(4) doping in situ de PVD. Usando el equipo de PVD, el material es depositado en la superficie del substrato farfullando bajo vacío.

LPCVD es el más maduro. PECVD y PVD pueden solucionar el problema de envolver la galjanoplastia, pero sus ventajas y desventajas son diferentes. Actualmente, el proceso de LPCVD es relativamente maduro. El principio es descomponer compuestos gaseosos bajo la presión baja y temperatura alta, y después las deposita en la superficie del substrato para formar la película requerida. El control de proceso es simple y fácil, la uniformidad de la formación de la película es buena, y la densidad es alta, pero la tarifa de la formación de la película es lenta, se requiere la temperatura alta, y la deposición de los pedazos del cuarzo es relativamente seria. Sin embargo, el fenómeno extenso de envolver necesidades de la galjanoplastia de ser solucionado introduciendo el equipo que graba al agua fuerte adicional, que aumento la complejidad de proceso. A diferencia de LPCVD, que utiliza energía termal para activar, PECVD utiliza la microonda, radiofrecuencia y otros gases conteniendo los átomos de la película para formar plasma local, y los depósitos la película requerida en la superficie del substrato con la alta actividad del gas del plasma. Su ventaja es que la tarifa filmógena es muy rápida y la galjanoplastia de enrrollamiento es muy pequeña, pero la uniformidad de la película pasiva es difícil de controlar, y puede haber burbujas, dando por resultado efecto pobre de la estabilización. PVD es diferente del CVD en eso que adopta la deposición física, no hay fenómeno de embalaje, y la tarifa filmógena es rápida. Sin embargo, el proceso actual es relativamente no maduro, el equipo requerido es costoso, la cantidad de material de blanco es grande, la uniformidad de la resistencia cuadrada es pobre, y la calidad de la batería generada es inestable.